本文摘要：机械硬盘由于本身的物理架构问题，造成其体积轻、不抗震、读取快、响应速度低等弊端，沦为PC性能发展的众多瓶颈。

机械硬盘由于本身的物理架构问题，造成其体积轻、不抗震、读取快、响应速度低等弊端，沦为PC性能发展的众多瓶颈。相比较而言，NAND存储器的体积小、更加抗震、数据加载速度快，数据存储也更加安全性。　　不过，早期的存储器由于原材料较贵，单位容量比硬盘更加喜。随着像三星等上游Flash厂商技术大大突破，如今，存储器的价格正在较慢上升，同时其制程也在大大提升。

旋即的将来，存储器的价格将与普通硬盘处在同一级别，预计存储器将代替硬盘沦为常规存储。　　但是正在大家盼望SSD价格一路下降时，它却触底声浪。据ChinaFlashMarket报价统计资料，自2016年5月下旬SSD涨价以来，120GB TLC SSD价格已从25美元下跌至37美元，涨幅约48%；240GBTLC SSD价格已从44美元下跌至66美元，涨幅高达50%。　　价格上涨的SSD必要造成固态硬盘前进速度变缓，原本在2016年预估渗透率从40%-50%上调到35%，用户出售大容量SSD意愿也大幅度减少。

那么到底是什么原因造成SSD价格上涨呢？原因有两方面。　　过渡到3D NAND技术后良率不低　　固态硬盘绝大部分成本来自于NAND Flash，为此上游NAND厂商就通过升级NAND Flash来降低成本。

其中三星是最先顺利量产3D NAND的厂商，随后Intel、美光、东芝等厂商也开始全力拨给2D NAND Flash生产能力转往3D NAND，但由于3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因生产能力排斥增大，NAND Flash市场经常出现货源严重不足问题，价格也因此显著下跌。　　何为3D NAND Flash？　　从技术结构上谈，3D NAND通过立体填充的方式使单位面积支撑更大的存储容量，2D NAND只不过是平房，3D NAND则是高楼，建筑面积成倍提高，理论上可以无限填充。　　目前2D NAND工艺迫近物理无限大，单位面积存储容量无法之后提高。3D NAND解决问题了由于晶圆物理无限大而无法更进一步不断扩大单die能用容量的容许，更进一步推展了存储颗粒总体容量的攀升。

　　移动设备对Flash市场需求减少　　随着移动互联网的发展，用户对智能手机等移动设备市场需求与日俱增。每年的Q3季度都是智能机销售旺季，再加2016年的iPhone新品低于容量从32GB跳，最低提高至256GB，同时造就了其他智能机品牌的第一时间，大容量智能手机吹了一阵旋风，激化了NANDFlash供应端的压力。　　综上所述，NAND Flash市场缺货主要是因为上游厂商向3D技术切换造成2D NAND Flash生产量增加，再加智能移动设备市场需求快速增长，堪称雪上加霜。

不过将近一年上游厂商生产能力调整过渡期，在2017年下半年未来将会经常出现恶化迹象。一方面三星成功过渡到64层3D NAND技术，东芝也开始在下半年大规模量产3D NAND Flash，预计市场供货短缺的市况将未来将会获得减轻。

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